VS-GB90SA120U
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | VS-GB90SA120U |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-227 |
Serie | - |
Leistung - max | 862 W |
Verpackung / Gehäuse | SOT-227-4 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
NTC-Thermistor | No |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingang | Standard |
IGBT-Typ | NPT |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 149 A |
Konfiguration | Single |
Grundproduktnummer | GB90 |
VS-GB90SA120U Einzelheiten PDF [English] | VS-GB90SA120U PDF - EN.pdf |
TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
RECT BRIDGE 1-PH 400V 25A GBPCW
RECT BRIDGE 1-PH 400V 25A GBPC-A
IGBT MOD 1200V 100A ECONO2 4PACK
IGBT MOD 1200V 100A ECONO2 4PACK
IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK
RECT BRIDGE 1-PH 600V 25A GBPC-A
IGBT 1200V 149A 862W SOT-227
IGBT MOD 1200V 105A INT-A-PAK
BRIDGE RECT 1P 400V 25A GBPC-W
RECT BRIDGE 1-PH 200V 25A GBPC-A
RECT BRIDGE 1-PH 200V 25A GBPC-W
BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-A
IGBT 1200V 100A 480W ECONO
TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
BRIDGE RECT 1P 600V 25A GBPC-A
BRIDGE RECT 1P 400V 25A GBPC-A
IGBT MOD 600V 147A 625W SOT227
IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() VS-GB90SA120UVishay General Semiconductor - Diodes Division |
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